企业简介
江苏顺风光电科技有限公司是太阳能电池、solar cll等产品专业生产加工的合资经营企业港或澳、台资,公司总部设在常州,江苏顺风光电科技有限公司拥有完整、科学的质量管理体系。江苏顺风光电科技有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临江苏顺风光电科技有限公司参观、指导和业务洽谈。
江苏顺风光电科技有限公司的工商信息
- 320400400017904
- 913204127796618561
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2005年10月10日
- 张伏波
- 516000.000000
- 2005年10月10日 至 2035年10月09日
- 常州市武进区市场监督管理局
- 2018年06月05日
- 江苏省武进高新技术产业开发区阳湖路99号
- 太阳能电池（单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池）开发、制造、咨询服务；从事硅碇、硅片和组件的国内采购、批发、佣金代理（拍卖除外）和进出口业务（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
江苏顺风光电科技有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 江苏顺风光电科技有限公司 | http://cn.sf-pv.com/ |
| 网站 | 江苏顺风光电科技有限公司 | www.sf-pv.com |
江苏顺风光电科技有限公司的商标信息
江苏顺风光电科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105655424A | 全背场扩散N型硅基电池及其制备方法 | 2016.06.08 | 本发明涉及一种全背场扩散N型硅基电池及其制备方法，包括N型硅基本体，电池背面为发射极，背面发射极上用 |
| 2 | CN104752527B | 一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的作为底 |
| 3 | CN104752526B | 一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种高PID抗性的高效多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的 |
| 4 | CN104733555B | 一种N型双面太阳电池及其制备方法 | 2017.01.11 | 本发明涉及一种N型双面太阳电池及其制备方法，其电池结构包括：N型硅片衬底、正面硼掺杂层、背面磷掺杂层 |
| 5 | CN104576831B | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 | 2016.10.12 | 本发明涉及一种单晶硅片无醇制绒工艺及制绒添加剂，首先将硅片加入到预处理液中，对硅片进行预处理，预处理 |
| 6 | CN205488171U | 一种全背场扩散N型硅基电池 | 2016.08.17 | 本实用新型涉及一种全背场扩散N型硅基电池，包括N型硅基本体，电池背面为发射极，背面发射极上用氧化硅、 |
| 7 | CN105826403A | 高PID抗性的单晶多层钝化减反射膜及其制备方法 | 2016.08.03 | 本发明涉及一种高PID抗性的单晶多层钝化减反射膜及其制备方法，包括刻蚀后单晶硅片进入PECVD炉体， |
| 8 | CN105702749A | 高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法 | 2016.06.22 | 本发明涉及一种高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法，包括刻蚀后多晶硅片进入PECVD炉体后 |
| 9 | CN201413381Y | 太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置 | 2010.02.24 | 本实用新型涉及一种太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置包括检 |
| 10 | CN204732419U | 一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构 | 2015.10.28 | 本实用新型涉及一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构，包括在多晶硅片衬底正表面自下而上依次设 |
| 11 | CN104916710A | 一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构 | 2015.09.16 | 本发明涉及一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构，包括在多晶硅片衬底正表面自下而上依次设置且 |
| 12 | CN204596799U | 一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜 | 2015.08.26 | 本实用新型涉及一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的底层SiOx层 |
| 13 | CN104835866A | 一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构 | 2015.08.12 | 本发明涉及一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，背电极区域不开孔，有效避免了银电极的强复合中 |
| 14 | CN204516779U | 一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构 | 2015.07.29 | 本实用新型涉及一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，背电极区域不开孔，有效避免了银电极的强复 |
| 15 | CN204497240U | 一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜 | 2015.07.22 | 本实用新型涉及一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜，所述钝化减反射多层膜底层为SiOx层，SiOx层 |
| 16 | CN204497242U | 一种N型双面太阳电池的电极结构 | 2015.07.22 | 本实用新型涉及一种N型双面太阳电池的电极结构，在正面减反射膜表面印刷有若干条相互平行的主栅线，若干条 |
| 17 | CN204497251U | 一种高效N型双面太阳电池 | 2015.07.22 | 本实用新型涉及一种高效N型双面太阳电池及其制备方法，其电池结构包括：N型硅片衬底、正面硼掺杂层、背面 |
| 18 | CN104752527A | 一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺 | 2015.07.01 | 本发明涉及一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的作为底 |
| 19 | CN204441294U | 一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜 | 2015.07.01 | 本实用新型涉及一种高PID抗性的高效单晶电池的钝化减反射膜，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的作为底层 |
| 20 | CN104752526A | 一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺 | 2015.07.01 | 本发明涉及一种高PID抗性的高效多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的 |
| 21 | CN104733555A | 一种高效N型双面太阳电池及其制备方法 | 2015.06.24 | 本发明涉及一种高效N型双面太阳电池及其制备方法，其电池结构包括：N型硅片衬底、正面硼掺杂层、背面磷掺 |
| 22 | CN204315582U | 一种新型的晶硅太阳能电池的电极结构 | 2015.05.06 | 本实用新型涉及一种新型的晶硅太阳能电池的电极结构，可改善太阳能电池片电性能和断栅效果的正电极设计，其 |
| 23 | CN104576833A | 采用PECVD制备太阳能背钝化电池背钝化膜层的方法 | 2015.04.29 | 本发明涉及一种采用PECVD制备太阳能背钝化电池背钝化膜层的方法，所述背钝化膜层采用PECVD设备底 |
| 24 | CN104576770A | 一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜 | 2015.04.29 | 本发明涉及一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜，所述钝化减反射多层膜底层为SiOx层，SiOx层折射 |
| 25 | CN104576831A | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 | 2015.04.29 | 本发明涉及一种单晶硅片无醇制绒工艺及制绒添加剂，首先将硅片加入到预处理液中，对硅片进行预处理，预处理 |
| 26 | CN104576777A | 一种新型的晶硅太阳能电池的电极结构 | 2015.04.29 | 本发明涉及一种新型的晶硅太阳能电池的电池结构，可改善太阳能电池片电性能和断栅效果的正电极设计，其中副 |
| 27 | CN204011441U | 高效PID Free的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜 | 2014.12.10 | 本实用新型涉及一种高效PID Free的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜，所述钝化减反射膜底层为SiO |
| 28 | CN204011442U | 高效PID Free的太阳能单晶硅电池的钝化减反射膜 | 2014.12.10 | 本实用新型涉及一种高效PID Free的太阳能单晶硅电池的钝化减反射膜，所述钝化减反射膜底层为SiO |
| 29 | CN104079241A | 一种电池组件PID的实验板及其测试方法 | 2014.10.01 | 本发明公开了一种电池组件PID的实验板，包括玻璃、EVA、电池和背板，所述玻璃、电池和背板依次叠放， |
| 30 | CN104065339A | 一种太阳能电池组件PID的实验板及其测试方法 | 2014.09.24 | 本发明公开了一种太阳能电池组件PID的实验板，包括玻璃、EVA、电池和背板，所述玻璃、电池和背板依次 |
| 31 | CN203651164U | 太阳能晶硅电池片套印网版 | 2014.06.18 | 本实用新型涉及一种太阳能晶硅电池片套印网版，包括均匀设置在太阳能电池片上的副栅线及均匀覆盖在副栅线上 |
| 32 | CN103715278A | 高效PID Free的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜 | 2014.04.09 | 本发明涉及一种高效PIDFree的太阳能多晶硅电池的钝化减反射膜，所述钝化减反射膜底层为SiO2层1 |
| 33 | CN103700714A | 高效PID Free的太阳能单晶硅电池的钝化减反射膜 | 2014.04.02 | 本发明涉及一种高效PID Free的太阳能单晶硅电池的钝化减反射膜，所述钝化减反射膜底层为SiO2层 |
| 34 | CN102810598A | 太阳能电池扩散退火工艺 | 2012.12.05 | 本发明涉及一种太阳能电池扩散退火工艺，包括前氧化、衡温预淀积、主扩散变温推进、降温、退火、退舟等步骤 |
| 35 | CN102719894A | 太阳能电池硅片的磷扩散工艺 | 2012.10.10 | 本发明涉及一种太阳能电池硅片的磷扩散工艺，先以变温(750-800℃)预沉积一层薄且均匀的P2O5， |
| 36 | CN102476256A | 一种太阳能电池片焊接模具盘 | 2012.05.30 | 本发明涉及一种太阳能电池片焊接模具盘，包括模具盘基体，所述的基体上均匀设置有多个间隔相等、放置太阳能 |
| 37 | CN102478621A | 一种太阳能晶硅电池片衰减测试装置 | 2012.05.30 | 本发明涉及一种太阳能晶硅电池片衰减测试装置，所述的太阳能晶硅电池片衰减测试装置为利用太阳电池光衰减原 |
| 38 | CN102479875A | 一种太阳能电池片衰减装置 | 2012.05.30 | 本发明涉及一种太阳能电池片衰减装置，包括衰减箱体，所述的箱体下端有电池片传送带从中穿过，所述的箱体内 |
| 39 | CN202101541U | 一种太阳能电池片烧结炉履带 | 2012.01.04 | 本实用新型涉及一种太阳能电池片烧结炉履带，包括太阳能电池片烧结时作为载体的平铺履带本体，所述的履带本 |
| 40 | CN102285263A | 印刷晶体硅太阳能电池电极的方法 | 2011.12.21 | 本发明涉及一种印刷晶体硅太阳能电池电极的方法，具体步骤为：1)将准备制备电极的硅片，按照网版印刷图形 |
| 41 | CN102261838A | 太阳能电池片烧结炉履带 | 2011.11.30 | 本发明涉及一种太阳能电池片烧结炉履带，包括太阳能电池片烧结时作为载体的平铺履带本体，所述的履带本体上 |
| 42 | CN202034384U | 太阳能晶硅电池标准片 | 2011.11.09 | 本实用新型涉及一种太阳能晶硅电池标准片制作设计，所述的太阳能晶硅电池标准片制作设计是利用气压将玻璃底 |
| 43 | CN102154707A | 一种扩散炉多重温度控制装置 | 2011.08.17 | 本发明涉及一种扩散炉多重温度控制装置，具有温控热电偶和检测热电偶，所述的温控热电偶插入到扩散炉的内部 |
| 44 | CN201892725U | 太阳能晶硅电池片衰减测试装置 | 2011.07.06 | 本实用新型涉及一种太阳能晶硅电池片衰减测试装置，所述的太阳能晶硅电池片衰减测试装置为利用太阳电池光衰 |
| 45 | CN102110741A | 太阳能晶硅电池密栅印刷工艺 | 2011.06.29 | 本发明涉及一种太阳能晶硅电池密栅印刷工艺，所述的太阳能晶硅电池密栅印刷工艺主要为在原有的太阳能电池片 |
| 46 | CN201873778U | 扩散炉多重温度控制装置 | 2011.06.22 | 本实用新型涉及一种扩散炉多重温度控制装置，具有温控热电偶和检测热电偶，所述的温控热电偶插入到扩散炉的 |
| 47 | CN201871893U | 太阳能电池片焊接模具盘 | 2011.06.22 | 本实用新型涉及一种太阳能电池片焊接模具盘，包括模具盘基体，所述的基体上均匀设置有多个间隔相等、放置太 |
| 48 | CN201868465U | 太阳能电池片衰减装置 | 2011.06.15 | 本实用新型涉及一种太阳能电池片衰减装置，包括衰减箱体，所述的箱体下端有电池片传送带从中穿过，所述的箱 |
| 49 | CN201868439U | 太阳能晶硅密栅电池片 | 2011.06.15 | 本实用新型涉及一种太阳能晶硅密栅电池片，所述的太阳能晶硅密栅电池片主要与原有的太阳能电池片不同之处在 |
| 50 | CN201853714U | 具有特殊电极的太阳能晶硅电池片 | 2011.06.01 | 本实用新型涉及一种具有特殊电极的太阳能晶硅电池片，包括主栅线和子栅线，所述的主栅线的两端较主栅线的中 |
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